【产品介绍】

XPD100X系列芯片具有 1.7/2.2A 驱动电流能力, 可用于驱动 MOSFET/IGBT/SIC 等各种功率器件。其采用双通道高低边配置, 高压侧最大承受电压为 900 V, 在瞬态电压上具有出色的坚固性。XPD1000/1在低侧使用一/两个独立的 CMOS/TTL 兼容输入信号进行控制，逻辑电压低至 3.3V。高压侧和低压侧均有独立的具有迟滞特性的欠压检测单元。具有对称的欠压锁定电平，当 IC 不通过 VCC 供电时，离线栅极箝位功能为晶体管提供固有保护，防止浮栅条件下的寄生导通。可适用于个各种高压半桥, 全桥, LLC 电源拓扑上。